0 0 0
  8. LGE3M28065Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M28065Q

 
LGE3M28065Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975345
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 324.06 грн
3+
1 251.82 грн
450+
1 236.74 грн
900+
1 203.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
67А(1479415)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
326Вт(1741821)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
163нC(1610054)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...18В(1981581)
Ток стока в импульсном режиме
211А(1936763)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M28065Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975345
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 324.06 грн
3+
1 251.82 грн
450+
1 236.74 грн
900+
1 203.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
67А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
326Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
163нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Ток стока в импульсном режиме
211А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g