0 0 0
  8. LGE3M30065B

Транзисторы с каналом N THT LGE3M30065B

 
LGE3M30065B
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975346
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 246.27 грн
3+
1 178.00 грн
450+
1 169.27 грн
900+
1 133.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
64А(1479412)
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм(1441323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
326Вт(1741821)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
147нC(1609953)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
212А(1758520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M30065B
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975346
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 246.27 грн
3+
1 178.00 грн
450+
1 169.27 грн
900+
1 133.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
64А
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
326Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
147нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
212А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g