0 0 0
  8. LGE3M35065Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M35065Q

 
LGE3M35065Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975338
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 135.70 грн
3+
1 073.68 грн
450+
1 068.25 грн
900+
1 031.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм(1441323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
370Вт(1741804)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...18В(2001595)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M35065Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975338
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 135.70 грн
3+
1 073.68 грн
450+
1 068.25 грн
900+
1 031.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
370Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
30нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...18В
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g