0 0 0
  8. LGE3M35120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M35120Q

 
LGE3M35120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975349
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 253.53 грн
3+
1 185.31 грн
450+
1 178.33 грн
900+
1 134.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
44А(1479353)
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм(1479118)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
148нC(2001596)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M35120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975349
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 253.53 грн
3+
1 185.31 грн
450+
1 178.33 грн
900+
1 134.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
44А
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
148нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g