0 0 0
  8. LGE3M45170B

Транзисторы с каналом N THT LGE3M45170B

 
LGE3M45170B
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966281
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 348.41 грн
450+
3 323.53 грн
900+
3 219.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
48А(1441568)
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм(1479066)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
54нC(1479413)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
160А(1741661)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M45170B
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966281
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 348.41 грн
450+
3 323.53 грн
900+
3 219.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
48А
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
160А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g