0 0 0
  8. LGE3M50120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M50120Q

 
LGE3M50120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966283
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 292.20 грн
2+
915.82 грн
3+
865.59 грн
450+
859.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
43А(1479345)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
344Вт(1999415)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
145А(1851125)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M50120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966283
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 292.20 грн
2+
915.82 грн
3+
865.59 грн
450+
859.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
43А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
344Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
145А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g