0 0 0
  8. LGE3M80120B

Транзисторы с каналом N THT LGE3M80120B

 
LGE3M80120B
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975340
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
925.10 грн
2+
650.74 грн
5+
615.19 грн
450+
613.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
28А(1441500)
Сопротивление в открытом состоянии
0,129Ом(1790184)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
208Вт(1741773)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
76нC(1479401)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M80120B
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975340
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
925.10 грн
2+
650.74 грн
5+
615.19 грн
450+
613.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
28А
Сопротивление в открытом состоянии
0,129Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
208Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
76нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g