0 0 0
  8. LGE3M80120J

Транзисторы с каналом N SMD LGE3M80120J

 
LGE3M80120J
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982851
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
930.59 грн
2+
652.27 грн
5+
616.51 грн
800+
594.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-7(1479506)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
96мОм(1596073)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
20,8нC(1942389)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-3...15В(2001274)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD LGE3M80120J
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982851
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
930.59 грн
2+
652.27 грн
5+
616.51 грн
800+
594.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-7
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
96мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
136Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
20,8нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-3...15В
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g