0 0 0
  8. APT1001R6BFLLG

Транзисторы с каналом N THT APT1001R6BFLLG

 
APT1001R6BFLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429467
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 034.51 грн
2+
1 924.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
266Вт(1740765)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
55нC(1632980)
Технология
POWER MOS 7®(1694410)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT1001R6BFLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429467
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 034.51 грн
2+
1 924.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
266Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
55нC
Технология
POWER MOS 7®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g