0 0 0
  8. APT1001RSVRG

Транзисторы с каналом N SMD APT1001RSVRG

 
APT1001RSVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429405
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 558.10 грн
2+
1 473.88 грн
3+
1 473.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
280Вт(1740832)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
225нC(1694855)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,985 g
 
Транзисторы с каналом N SMD APT1001RSVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429405
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 558.10 грн
2+
1 473.88 грн
3+
1 473.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
280Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
225нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,985 g