0 0 0
  8. APT1003RKLLG

Транзисторы с каналом N THT APT1003RKLLG

 
APT1003RKLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429477
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
865.33 грн
2+
588.59 грн
3+
587.79 грн
5+
555.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
139Вт(1741802)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Технология
POWER MOS 7®(1694410)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT1003RKLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429477
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
865.33 грн
2+
588.59 грн
3+
587.79 грн
5+
555.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
139Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
34нC
Технология
POWER MOS 7®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g