0 0 0
  8. APT10050LVRG

Транзисторы с каналом N THT APT10050LVRG

 
APT10050LVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429484
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 066.44 грн
2+
1 953.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 10 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
500нC(1743221)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
84А(1758593)
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,75 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT10050LVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429484
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 066.44 грн
2+
1 953.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 10 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
500нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
84А
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,75 g