0 0 0
  8. APT10086BVRG

Транзисторы с каналом N THT APT10086BVRG

 
APT10086BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429488
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 391.71 грн
2+
1 315.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
860мОм(1775145)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
370Вт(1741804)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
275нC(1634339)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
52А(1789218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT10086BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429488
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 391.71 грн
2+
1 315.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
860мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
370Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
275нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
52А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g