0 0 0
  8. APT100GN120B2G

Транзисторы IGBT THT APT100GN120B2G

 
APT100GN120B2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418023
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 100А; 960Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 442.58 грн
2+
2 309.57 грн
10+
2 304.03 грн
30+
2 220.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
100А(1441720)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Время включения
0,1мкс(1519240)
Время выключения
935нс(1814608)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
960Вт(1745496)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
540нC(1748251)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,855 g
 
Транзисторы IGBT THT APT100GN120B2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418023
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 100А; 960Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 442.58 грн
2+
2 309.57 грн
10+
2 304.03 грн
30+
2 220.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
300А
Время включения
0,1мкс
Время выключения
935нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
960Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
540нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,855 g