0 0 0
  7. APT100GT120JR

Модули IGBT APT100GT120JR

 
APT100GT120JR
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425657
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 672.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
67А(1791005)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
NPT(1714552) Thunderblot IGBT®(1694424)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT100GT120JR
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425657
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 672.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
67А
Ток коллектора в импульсе
200А
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
NPT
Технология
Thunderblot IGBT®
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g