0 0 0
  8. APT102GA60B2

Транзисторы IGBT THT APT102GA60B2

 
APT102GA60B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418025
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 101.49 грн
3+
1 041.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
102А(1694304)
Ток коллектора в импульсе
307А(1694305)
Время включения
64нс(1441705)
Время выключения
389нс(1814609)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
780Вт(1741885)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
294нC(1694306)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT102GA60B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418025
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 101.49 грн
3+
1 041.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
102А
Ток коллектора в импульсе
307А
Время включения
64нс
Время выключения
389нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
780Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
294нC
Технология
POWER MOS 8®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g