0 0 0
  8. APT106N60B2C6

Транзисторы с каналом N THT APT106N60B2C6

 
APT106N60B2C6
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429491
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 68А; Idm: 318А; 833Вт; TO247MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 616.18 грн
2+
1 528.86 грн
3+
1 528.07 грн
10+
1 501.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
68А(1492242)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
833Вт(1741843)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
308нC(1705680)
Технология
CoolMOS™(1601653)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
318А(1823185)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,81 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT106N60B2C6
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429491
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 68А; Idm: 318А; 833Вт; TO247MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 616.18 грн
2+
1 528.86 грн
3+
1 528.07 грн
10+
1 501.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
68А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
833Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
308нC
Технология
CoolMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
318А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,81 g