0 0 0
  7. APT10M11JVRU3

Транзисторные модули MOSFET APT10M11JVRU3

 
APT10M11JVRU3
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440430
Модуль; диод/транзистор; 100В; 106А; ISOTOP; винтами; Idm: 576А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 353.08 грн
2+
2 224.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
106А(1441549)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Рассеиваемая мощность
450Вт(1701922)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Напряжение затвор-исток
Топология
тормозной транзистор(1612511)
Ток стока в импульсном режиме
576А(1823251)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT10M11JVRU3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440430
Модуль; диод/транзистор; 100В; 106А; ISOTOP; винтами; Idm: 576А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 353.08 грн
2+
2 224.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
106А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Рассеиваемая мощность
450Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 5®
Топология
тормозной транзистор
Ток стока в импульсном режиме
576А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g