0 0 0
  8. APT10M11LVRG

Транзисторы с каналом N THT APT10M11LVRG

 
APT10M11LVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429494
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 840.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
450нC(1750624)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT10M11LVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429494
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 840.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
450нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g