0 0 0
  8. APT11N80BC3G

Транзисторы с каналом N THT APT11N80BC3G

 
APT11N80BC3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429498
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
492.88 грн
3+
334.17 грн
9+
315.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
CoolMOS™(1601653)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
33А(1810524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT11N80BC3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429498
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
492.88 грн
3+
334.17 грн
9+
315.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
60нC
Технология
CoolMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
33А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g