0 0 0
  8. APT1201R5BVRG

Транзисторы с каналом N THT APT1201R5BVRG

 
APT1201R5BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429503
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 550.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT1201R5BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429503
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 550.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Заряд затвора
28нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g