0 0 0
  8. APT1201R6SVFRG

Транзисторы с каналом N SMD APT1201R6SVFRG

 
APT1201R6SVFRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429413
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 499.23 грн
2+
1 417.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
280Вт(1740832)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
230нC(1694419)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N SMD APT1201R6SVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429413
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 499.23 грн
2+
1 417.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
280Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
230нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g