0 0 0
  8. APT13F120B

Транзисторы с каналом N THT APT13F120B

 
APT13F120B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429516
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 159.21 грн
2+
798.50 грн
4+
754.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
145нC(1636390)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT13F120B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429516
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 159.21 грн
2+
798.50 грн
4+
754.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
625Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
145нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g