0 0 0
  8. APT13GP120BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT13GP120BDQ1G

 
APT13GP120BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418026
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
894.69 грн
2+
656.37 грн
5+
620.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 82 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Время включения
21нс(1618355)
Время выключения
270нс(1713783)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
55нC(1632980)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,095 g
 
Транзисторы IGBT THT APT13GP120BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418026
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
894.69 грн
2+
656.37 грн
5+
620.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 82 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
50А
Время включения
21нс
Время выключения
270нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
55нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,095 g