0 0 0
  8. APT150GN60LDQ4G

Транзисторы IGBT THT APT150GN60LDQ4G

 
APT150GN60LDQ4G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418029
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 135.38 грн
2+
2 018.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
123А(1612549)
Ток коллектора в импульсе
450А(1595954)
Время включения
154нс(1814611)
Время выключения
575нс(1750756)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
536Вт(1741828)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
970нC(1814610)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT150GN60LDQ4G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418029
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 135.38 грн
2+
2 018.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
123А
Ток коллектора в импульсе
450А
Время включения
154нс
Время выключения
575нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
536Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
970нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g