0 0 0
  8. APT15GN120BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT15GN120BDQ1G

 
APT15GN120BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418030
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 22А; 195Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
743.80 грн
2+
512.64 грн
6+
484.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
22А(1441633)
Ток коллектора в импульсе
45А(1645254)
Время включения
19нс(1634219)
Время выключения
355нс(1814612)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
195Вт(1741754)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
90нC(1479429)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT15GN120BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418030
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 22А; 195Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
743.80 грн
2+
512.64 грн
6+
484.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
22А
Ток коллектора в импульсе
45А
Время включения
19нс
Время выключения
355нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
195Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
90нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g