0 0 0
  8. APT15GP60BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT15GP60BDQ1G

 
APT15GP60BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418031
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 27А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
590.29 грн
3+
406.47 грн
7+
384.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
27А(1478914)
Ток коллектора в импульсе
65А(1814613)
Время включения
20нс(1441676)
Время выключения
160нс(1640039)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
55нC(1632980)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT15GP60BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418031
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 27А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
590.29 грн
3+
406.47 грн
7+
384.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
27А
Ток коллектора в импульсе
65А
Время включения
20нс
Время выключения
160нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
55нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g