0 0 0
  8. APT15GT120BRDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT15GT120BRDQ1G

 
APT15GT120BRDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418034
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 18А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
594.25 грн
3+
409.63 грн
7+
387.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
18А(1500559)
Ток коллектора в импульсе
45А(1645254)
Время включения
21нс(1618355)
Время выключения
137нс(1640200)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
105нC(1633312)
Технология
NPT(1714552)
Статус детали
Не рекомендуется для новых проектов(1826122)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT15GT120BRDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418034
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 18А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
594.25 грн
3+
409.63 грн
7+
387.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
18А
Ток коллектора в импульсе
45А
Время включения
21нс
Время выключения
137нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
105нC
Технология
NPT
Статус детали
Не рекомендуется для новых проектов
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g