0 0 0
  8. APT17F100B

Транзисторы с каналом N THT APT17F100B

 
APT17F100B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429519
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 70А; 625Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 089.89 грн
2+
753.32 грн
4+
712.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
780мОм(1823184)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT17F100B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429519
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 70А; 625Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 089.89 грн
2+
753.32 грн
4+
712.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
780мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
625Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
150нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g