0 0 0
  8. APT200GN60B2G

Транзисторы IGBT THT APT200GN60B2G

 
APT200GN60B2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418035
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 865.39 грн
2+
1 764.04 грн
3+
1 763.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
158А(1814614)
Ток коллектора в импульсе
600А(1441748)
Время включения
130нс(1814616)
Время выключения
690нс(1751580)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
682Вт(1814615)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
1180нC(1814747)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT200GN60B2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418035
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 865.39 грн
2+
1 764.04 грн
3+
1 763.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
158А
Ток коллектора в импульсе
600А
Время включения
130нс
Время выключения
690нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
682Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
1180нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g