0 0 0
  7. APT200GN60JDQ4

Модули IGBT APT200GN60JDQ4

 
APT200GN60JDQ4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425667
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 280.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
158А(1814614)
Ток коллектора в импульсе
600А(1441748)
Применение
для UPS(1471489) двигатели(1492838) для индуктивной нагрузки(1490370)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT200GN60JDQ4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425667
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 280.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
158А
Ток коллектора в импульсе
600А
Применение
для UPS
Применение
двигатели
Применение
для индуктивной нагрузки
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g