0 0 0
  8. APT20GN60BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT20GN60BDQ1G

 
APT20GN60BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418037
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 24А; 136Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
407.59 грн
3+
367.07 грн
4+
280.47 грн
10+
265.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
24А(1441030)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Время включения
19нс(1634219)
Время выключения
290нс(1640206)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT20GN60BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418037
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 24А; 136Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
407.59 грн
3+
367.07 грн
4+
280.47 грн
10+
265.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
24А
Ток коллектора в импульсе
60А
Время включения
19нс
Время выключения
290нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
136Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g