0 0 0
  8. APT25GN120B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT25GN120B2DQ2G

 
APT25GN120B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418040
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 094.21 грн
2+
751.13 грн
3+
750.34 грн
4+
709.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
33А(1500586)
Ток коллектора в импульсе
75А(1694309)
Время включения
39нс(1694310)
Время выключения
560нс(1694311)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
272Вт(1742097)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT25GN120B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418040
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 094.21 грн
2+
751.13 грн
3+
750.34 грн
4+
709.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
33А
Ток коллектора в импульсе
75А
Время включения
39нс
Время выключения
560нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
272Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
155нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g