0 0 0
  8. APT25GP120BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT25GP120BDQ1G

 
APT25GP120BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418042
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 088.67 грн
3+
1 015.04 грн
10+
984.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
33А(1500586)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время включения
26нс(1621606)
Время выключения
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
417Вт(1741960)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,097 g
 
Транзисторы IGBT THT APT25GP120BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418042
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 088.67 грн
3+
1 015.04 грн
10+
984.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
33А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время включения
26нс
Время выключения
200нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
417Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
110нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,097 g