0 0 0
  8. APT25GP120BG

Транзисторы IGBT THT APT25GP120BG

 
APT25GP120BG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418043
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 115.59 грн
3+
1 054.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
33А(1500586)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время включения
26нс(1621606)
Время выключения
197нс(1790992)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
417Вт(1741960)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,05 g
 
Транзисторы IGBT THT APT25GP120BG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418043
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 115.59 грн
3+
1 054.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
33А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время включения
26нс
Время выключения
197нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
417Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,05 g