0 0 0
  8. APT27GA90BD15

Транзисторы IGBT THT APT27GA90BD15

 
APT27GA90BD15
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418048
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 27А; 223Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
693.58 грн
3+
480.60 грн
6+
454.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
900В(1440903)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
27А(1478914)
Ток коллектора в импульсе
79А(1814618)
Время включения
18нс(1444766)
Время выключения
281нс(1814619)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
223Вт(1740792)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
62нC(1479423)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT27GA90BD15
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418048
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 27А; 223Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
693.58 грн
3+
480.60 грн
6+
454.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
900В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
27А
Ток коллектора в импульсе
79А
Время включения
18нс
Время выключения
281нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
223Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
62нC
Технология
POWER MOS 8®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g