0 0 0
  8. APT28M120B2

Транзисторы с каналом N THT APT28M120B2

 
APT28M120B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429553
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 789.23 грн
2+
1 692.38 грн
3+
1 691.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм(1634371)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1135Вт(1742093)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
300нC(1479621)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
104А(1759380)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT28M120B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429553
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 789.23 грн
2+
1 692.38 грн
3+
1 691.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1135Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
300нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
104А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g