Транзисторы с каналом N THT APT29F100L

 
APT29F100L
 
Артикул: 429555
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 19А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 006.25 грн
3+
951.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
19А(1479258)
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм(1694859)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,04кВт(1742092)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
260нC(1479537)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT29F100L
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429555
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 19А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 006.25 грн
3+
951.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
19А
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Полярность
полевой
Заряд затвора
260нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g