0 0 0
  8. APT30F50B

Транзисторы с каналом N THT APT30F50B

 
APT30F50B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429556
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 19А; Idm: 90А; 415Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
585.82 грн
3+
404.84 грн
7+
383.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
19А(1479258)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
415Вт(1740828)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
115нC(1607626)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT30F50B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429556
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 19А; Idm: 90А; 415Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
585.82 грн
3+
404.84 грн
7+
383.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
19А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
415Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
115нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g