0 0 0
  8. APT30GN60BDQ2G

Транзисторы IGBT THT APT30GN60BDQ2G

 
APT30GN60BDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418049
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 37А; 203Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
542.36 грн
3+
375.29 грн
8+
354.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
37А(1707685)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время включения
16нс(1441611)
Время выключения
255нс(1641392)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
203Вт(1814620)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
165нC(1479367)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT30GN60BDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418049
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 37А; 203Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
542.36 грн
3+
375.29 грн
8+
354.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
37А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время включения
16нс
Время выключения
255нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
203Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
165нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g