0 0 0
  8. APT30GP60BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT30GP60BDQ1G

 
APT30GP60BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418051
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 49А; 463Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
946.16 грн
2+
783.84 грн
4+
741.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 44 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
49А(1500550)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
31нс(1607628)
Время выключения
165нс(1640201)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
463Вт(1741877)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
90нC(1479429)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g
 
Транзисторы IGBT THT APT30GP60BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418051
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 49А; 463Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
946.16 грн
2+
783.84 грн
4+
741.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 44 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
49А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
31нс
Время выключения
165нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
463Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
90нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g