0 0 0
  7. APT30M19JVFR

Транзисторные модули MOSFET APT30M19JVFR

 
APT30M19JVFR
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268555
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; винтами; 700Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 876.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
130А(1441558)
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм(1441301)
Рассеиваемая мощность
700Вт(1741872)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS V®(1694811)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
520А(1758505)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,97 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT30M19JVFR
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268555
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; винтами; 700Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 876.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
130А
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Рассеиваемая мощность
700Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS V®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
520А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,97 g