Производитель
MICROSEMI(934)
Напряжение коллектор-эмиттер
900В(1440903)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
35А(1500592)
Ток коллектора в импульсе
105А(1694421)
Время включения
25нс(1441683)
Время выключения
298нс(1694422)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
290Вт(1702088)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
84нC(1479022)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)