0 0 0
  8. APT35GN120L2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT35GN120L2DQ2G

 
APT35GN120L2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418056
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 46А; 379Вт; TO264MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 175.77 грн
2+
814.72 грн
3+
813.93 грн
4+
769.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264MAX(1492376)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
46А(1750667)
Ток коллектора в импульсе
105А(1694421)
Время включения
46нс(1441691)
Время выключения
465нс(1814621)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
379Вт(1741785)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,22мкC(1950537)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT35GN120L2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418056
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 46А; 379Вт; TO264MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 175.77 грн
2+
814.72 грн
3+
813.93 грн
4+
769.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264MAX
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
46А
Ток коллектора в импульсе
105А
Время включения
46нс
Время выключения
465нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
379Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,22мкC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g