0 0 0
  8. APT35GP120B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT35GP120B2DQ2G

 
APT35GP120B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418058
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 464.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
46А(1750667)
Ток коллектора в импульсе
140А(1441699)
Время включения
36нс(1441737)
Время выключения
0,22мкс(1747764)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,835 g
 
Транзисторы IGBT THT APT35GP120B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418058
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 464.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
46А
Ток коллектора в импульсе
140А
Время включения
36нс
Время выключения
0,22мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
543Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
150нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,835 g