0 0 0
  7. APT35GP120J

Модули IGBT APT35GP120J

 
APT35GP120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425670
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 611.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
29А(1613975)
Ток коллектора в импульсе
140А(1441699)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,43 g
 
Модули IGBT APT35GP120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425670
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 611.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
29А
Ток коллектора в импульсе
140А
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,43 g