0 0 0
  8. APT36GA60SD15

Транзисторы IGBT SMD APT36GA60SD15

 
APT36GA60SD15
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418020
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 36А; 290Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
855.44 грн
2+
589.69 грн
3+
588.90 грн
5+
557.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
36А(1478918)
Ток коллектора в импульсе
109А(1814622)
Время включения
29нс(1757696)
Время выключения
262нс(1814623)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
290Вт(1702088)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
102нC(1700731)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT SMD APT36GA60SD15
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418020
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 36А; 290Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
855.44 грн
2+
589.69 грн
3+
588.90 грн
5+
557.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
36А
Ток коллектора в импульсе
109А
Время включения
29нс
Время выключения
262нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
290Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
102нC
Технология
POWER MOS 8®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g