0 0 0
  7. APT38M50J

Транзисторные модули MOSFET APT38M50J

 
APT38M50J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440467
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 24А; ISOTOP; винтами; Idm: 175А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 116.35 грн
2+
2 000.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
175А(1790440)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT38M50J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440467
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 24А; ISOTOP; винтами; Idm: 175А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 116.35 грн
2+
2 000.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Рассеиваемая мощность
357Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
175А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g