0 0 0
  8. APT40GP60B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT40GP60B2DQ2G

 
APT40GP60B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418062
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 62А; 543Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 426.75 грн
2+
988.12 грн
3+
934.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
62А(1612551)
Ток коллектора в импульсе
160А(1694411)
Время включения
49нс(1694413)
Время выключения
160нс(1640039)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
135нC(1632961)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT40GP60B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418062
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 62А; 543Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 426.75 грн
2+
988.12 грн
3+
934.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
62А
Ток коллектора в импульсе
160А
Время включения
49нс
Время выключения
160нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
543Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
135нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g