0 0 0
  7. APT40GP60JDQ2

Модули IGBT APT40GP60JDQ2

 
APT40GP60JDQ2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425680
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 749.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
160А(1694411)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT40GP60JDQ2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425680
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 749.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
160А
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g